日美合资开发2nm制程，追赶台积电

《日经亚洲评论》报道截图

目前，台积电在芯片先进制程上处于quanqiulingxian地位，计划2025年量产2nm工艺，但该公司通常不会把zuixianjin的工厂建在台岛以外。过去两年，台积电相继宣布在美国和日本建设芯片工厂，其中美国工厂计划在2024年量产5nm，日本工厂计划在2024年量产10nm至20nm芯片。

据悉，在两国政府的多项双边机制推动下，日本和美国的私营企业可能会组建合资公司，此外日本的本土半导体产业也可能设立一个新的制造业中心，这部分的研发和资本支出也能获得日本经济产业省真金白银的补贴。

今年5月初，日美达成一项基本原则，包括日美在内的“志同道合”的国家将共同推进地区半导体供应链建设。日美双方将在即将举行的“2+2”内阁经济官员会议上讨论合作细节。上周，日本内阁批准了首相岸田文雄的“新资本主义”议程，概述了在10年内通过与美国的双边公私合作建立芯片设计和制造基地的计划。

虽然日本企业在半导体材料领域具有重要地位，但优势集中在与液体（流体）有关的化学材料和设备上。虽然本土也有瑞萨电子这样的汽车半导体大厂，但主要产能局限在40纳米，更先进的制程则需要交给台积电生产。

除台积电外，三星和英特尔也正在布局2nm芯片制造。其中，三星芯片代工业务的高管曾在去年10月透露，该公司有望在2025 年下半年使用其2nm制造工艺量产芯片。英特尔则在今年4月透露，预计下一代Intel 18A制程（相当于1.8nm）将提前在2024年下半年投产。